定义：光谱峰值一半高度对应的波长宽度，25℃、额定IF、裸片CP测试的值。

重点：

1. UVC半波宽普遍比UVA略窄，但对温度/电流波长漂移更敏感；

2. 固化/曝光等高要求场景，建议FWHM≤10nm；普通油墨固化12nm可接受；

3. 外延量子阱Al/In组分波动，会直接拉宽FWHM，

同时带来同BIN内光谱形状不一致（即使峰值波长一样，光谱轮廓不一样，固化效率差异很大）；

4. CP分选时，有条件建议把FWHM也纳入筛选，很多供应商只筛峰值波长，不控半波宽。

光谱偏移（波长漂移）：确实存在，UV芯片非常明显，分三类

1. 温度漂移（最主要，红移：温度升高，波长变长）

· UVA：约 0.06~0.08 nm/℃

· UVC（AlGaN）：0.07~0.12 nm/℃，比UVA更敏感

举例：结温从25℃升到75℃（ΔT=50℃） UVC会红移3.56nm；365nm可能漂移34nm。

固化配方的光引发剂吸收峰很窄，漂移超过3~5nm固化效率明显下降。

2. 电流漂移（电流变化，波长偏移）

恒温下，提高IF，峰值波长会小幅蓝移（变短），

原理是载流子填充量子阱能级； 

高功率芯片大电流下，这个效应叠加结温红移，

两者会互相抵消一部分，但不能完全抵消。

3. 批次/晶圆内固有离散（静态波长差，不是漂移）

    同一片晶圆从中心到边缘Al/In组分梯度，

    导致裸片本身峰值波长就有分布，

    也就是你前面做的波长BIN的来源；

这是静态偏差；

而温度/电流造成的是动态偏移（上机后随工况变化），两者要分开管控。

4. 长期老化漂移（长时间点灯缓慢漂移）

长期高温+UV高能光子，量子阱应力、缺陷累积，

峰值波长缓慢漂移，一般1~3nm级别，同时伴随功率衰减；UVC比UVA老化漂移更突出。

👉 工程管控建议

1. CP测试条件必须固定25℃+额定IF，波长BIN在这个基准下分选；

BIN窗口建议：固化高精度±1nm，普通固化±2nm。

2. 规格书必须同时约定：峰值波长BIN + FWHM上限 + 工作温度区间允许的最大波长漂移。

例：365nm，W0 BIN=364~366nm，FWHM≤10nm；整机Tj≤70℃，允许最大红移≤4nm。

3. 阵列方案：不能只看25℃静态波长，必须做结温下的光谱验证；

同一阵列内芯片结温差要控制，否则阵列内部波长不一致+功率离散叠加，固化不均。

4. 风险点：

· ❌ 只看峰值波长，不看FWHM：

两颗芯片峰值都是365nm，一颗FWHM8nm，一颗14nm，有效光谱能量分布不一样，固化效果差异大。

· ❌ 忽略结温漂移：CP分选25℃合格，

上机升温后波长跑出光引发剂吸收窗口，固化发粘。